Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CQK, DDR5 1х 32ГБ 4800 МГц, SODIMM, OEM

Код товара: 140962
Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CQK, DDR5 1х 32ГБ 4800 МГц, SODIMM, OEM
Samsung
44 280 р.
Базовая цена
50 318 р.
В наличии на складе
Гарантия 1 год от Samsung
в корзину купить в один клик
Способы оплаты:
Наличными Картой В кредит
Способы получения товара:
Доставка 790 р.
завтра и позже
Самовывоз бесплатно
завтра и позже
Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CQK, DDR5 1х 32ГБ 4800 МГц, SODIMM, OEM
Код товара: 140962
44 280 р.

О товаре
Код товара:140962
Бренд:Samsung
Категория:Оперативная память
Наличие на складе:товар в наличии
Страна производства:Китай
Гарантия Samsung: 1 год
Код производителя:M425R4GA3BB0-CQK
Показать все характеристики
Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CQK, DDR5 1х 32ГБ 4800 МГц, SODIMM, OEM. Характеристики, фото, отзывы покупателей. Официальная гарантия Samsung. Доставка по Московской области — FormulaTV.

Samsung M425R4GA3BB0-CQK — модуль оперативной памяти формата SODIMM стандарта DDR5 объёмом 32 ГБ с тактовой частотой 4800 МГц, предназначенный для установки в ноутбуки с поддержкой DDR5.

  • Тип памяти: DDR5 SODIMM, 262 контакта
  • Объём и частота: 32 ГБ / 4800 МГц (PC5-38400)
  • Тайминги: CL40-40-40, напряжение 1.1 В
  • Для кого: апгрейд ноутбука под ресурсоёмкие задачи — монтаж, CAD, виртуализация
Samsung M425R4GA3BB0-CQK DDR5 SODIMM 32GB этикетка с характеристиками и штрих-кодом

Коротко — для кого этот модуль памяти

Samsung M425R4GA3BB0-CQK закрывает главный сценарий: плановый апгрейд ноутбука с DDR5-слотом, когда штатных 8–16 ГБ уже не хватает для параллельной работы нескольких приложений. Один модуль 32 ГБ обеспечивает запас без необходимости докупать парный — особенно актуально, если во втором слоте уже установлен другой модуль или слот только один.

Главные плюсы и ограничения Samsung M425R4GA3BB0-CQK

Модуль производства Samsung — одного из трёх ведущих мировых изготовителей чипов памяти — обеспечивает предсказуемую совместимость с платформами Intel Alder Lake / Raptor Lake и AMD Ryzen 6000–7000 серий с контроллером DDR5.

  • Крупный объём 32 ГБ в одном модуле — не требует пары для наращивания памяти
  • On-die ECC — аппаратная коррекция ошибок на уровне чипа, повышает стабильность при длительной нагрузке
  • Пропускная способность 38 400 МБ/с — в 1.87 раза выше, чем у DDR4-3200
  • Напряжение 1.1 В — ниже, чем у DDR4 (1.2 В), экономия заряда актуальна для ноутбуков
  • OEM-поставка: нет розничной упаковки, в комплекте — только модуль и документация
  • Гарантия производителя — 1 год (у розничных версий Samsung обычно больше)
  • Тайминги CL40 — стандарт для DDR5-4800, разгон в ноутбуках практически недоступен

Технические характеристики — что означают цифры на практике

Пропускная способность DDR5-4800 в реальных задачах

Samsung M425R4GA3BB0-CQK работает на частоте 4800 МГц и обеспечивает пропускную способность 38 400 МБ/с — это стандарт PC5-38400. По замерам FormulaTV, переход с DDR4-3200 на DDR5-4800 даёт прирост в задачах работы с большими массивами данных: рендеринг, компиляция, виртуальные машины замечают разницу в многопоточных сценариях. Для офисных задач и веб-сёрфинга разрыв между DDR4 и DDR5 менее заметен — здесь важнее сам объём.

Тайминги CL40 — норма или слабость DDR5?

Тайминги 40-40-40 у Samsung M425R4GA3BB0-CQK выглядят высокими на фоне DDR4 с CL16-18, однако абсолютная задержка в наносекундах у DDR5-4800 CL40 сопоставима с DDR4-3200 CL22 — из-за более высокой рабочей частоты. По информации производителя, это базовый JEDEC-профиль DDR5 первого поколения. Для ноутбуков ручной разгон через XMP/EXPO фактически недоступен — чип работает строго по профилю материнской платы.

On-die ECC — зачем это нужно в ноутбуке

Samsung M425R4GA3BB0-CQK оснащён технологией On-die ECC — аппаратной коррекцией ошибок, реализованной непосредственно на кристалле чипа. Это стандарт для DDR5: в отличие от серверного ECC, On-die ECC не требует поддержки со стороны чипсета и работает прозрачно для системы. Практический смысл — снижение вероятности программных сбоев при многочасовой работе под нагрузкой: видеомонтаж, симуляции, долгие компиляции. Для обычного офисного использования эффект не заметен, но при профессиональных задачах стабильность важнее теоретической максимальной скорости.

Напряжение 1.1 В и автономность ноутбука

Рабочее напряжение Samsung M425R4GA3BB0-CQK составляет 1.1 В — на 8% ниже стандартного 1.2 В у DDR4. Это небольшой, но реальный вклад в энергобаланс ноутбука, особенно заметный при длительной работе от аккумулятора. По наблюдениям специалистов редакции FormulaTV в условиях шоурума, ноутбуки на DDR5 при равной нагрузке незначительно холоднее в зоне оперативной памяти по сравнению с системами на DDR4.

Совет от редакции FormulaTV: «Перед установкой модуля проверьте максимальный поддерживаемый объём в одном слоте через официальный сайт производителя ноутбука или утилиту CPU-Z. Некоторые ноутбуки на Intel 12-го поколения ограничивают один слот 16 ГБ, даже если технически контроллер поддерживает больше».

Совместимость — что нужно знать перед установкой

Форм-фактор SODIMM и разъём 262-контакт

Samsung M425R4GA3BB0-CQK выполнен в форм-факторе SODIMM с 262 контактами — это стандарт DDR5 для ноутбуков и компактных ПК. Модуль физически не совместим со слотами DDR4 SODIMM (204 контакта) и с настольными слотами DIMM: разъём другой, установить «не в тот» слот невозможно конструктивно. Перед покупкой достаточно убедиться, что ноутбук поддерживает именно DDR5 — не DDR4.

С какими процессорными платформами совместим модуль

Samsung M425R4GA3BB0-CQK совместим с ноутбуками на базе Intel Core 12-го и 13-го поколений (Alder Lake-P/H, Raptor Lake-H), а также AMD Ryzen серии 6000 и 7000 с интегрированным контроллером DDR5. Платформы Intel 11-го поколения и AMD Ryzen 5000 используют DDR4 — этот модуль для них не подходит. По информации производителя, частота 4800 МГц является базовым JEDEC-профилем, который поддерживается всеми упомянутыми платформами без дополнительных настроек BIOS.

Можно ли установить один модуль вместо двух

Samsung M425R4GA3BB0-CQK можно устанавливать как единственный модуль — система запустится в одноканальном режиме. Двухканальный режим (при установке двух идентичных модулей) даёт прирост пропускной способности в среднем на 15–25% в задачах, критичных к памяти. Для большинства ноутбуков с одним слотом или с уже заполненным вторым слотом один модуль 32 ГБ практически всегда предпочтительнее двух по 8 ГБ в двухканале — объём здесь важнее ширины шины.

Samsung M425R4GA3BB0-CQK DDR5 SODIMM вид с обратной стороны микросхемы памяти
Совет от редакции FormulaTV: «Если в ноутбуке два слота и оба заняты модулями разного объёма (например, 8 ГБ и этот 32 ГБ), система загрузится, но двухканальный режим будет активен только для первых 8 ГБ каждого канала. Это нормальная работа, не ошибка — ноутбук просто использует доступный максимум».

С чем сравнить в России

На рынке представлено несколько DDR5 SODIMM-модулей объёмом 32 ГБ от ключевых производителей. Samsung M425R4GA3BB0-CQK отличается происхождением чипов от одного из трёх главных фабрикантов DRAM.

Сравнение DDR5 SODIMM 32 ГБ — ключевые характеристики
Модуль Частота Тайминги Пропускная способность On-die ECC Напряжение Поставка Кому подойдёт
Samsung M425R4GA3BB0-CQK 4800 МГц CL40-40-40 38 400 МБ/с Да 1.1 В OEM Апгрейд ноутбука, стабильность под нагрузкой
Kingston KVR48S40BD8-32 4800 МГц CL40 38 400 МБ/с Да 1.1 В Retail Апгрейд ноутбука, розничная гарантия
Crucial CT32G48C40S5 4800 МГц CL40 38 400 МБ/с Да 1.1 В Retail Апгрейд ноутбука, широкая доступность
SK Hynix HMCG78AGBSA092N 4800 МГц CL40 38 400 МБ/с Да 1.1 В OEM Серверные и корпоративные ноутбуки

Как мы к этому пришли — эволюция DDR5 для ноутбуков

Почему DDR5 вытесняет DDR4 в ноутбучном сегменте

Samsung M425R4GA3BB0-CQK принадлежит первому поколению массового DDR5 для ноутбуков, которое появилось вместе с Intel Alder Lake в 2021–2022 годах. Изначально DDR5 критиковали за высокие тайминги (CL40–CL46 против CL16–CL22 у DDR4), однако по абсолютной задержке в наносекундах разрыв минимален — за счёт более высокой базовой частоты. К 2024–2025 годам DDR5 стал стандартом де-факто в ноутбуках средней и высшей ценовых категорий, а цены на модули выровнялись с DDR4.

OEM против Retail — в чём реальная разница

Samsung M425R4GA3BB0-CQK поставляется в формате OEM: это тот же кристалл и тот же контроллер, что в розничных модулях, но без брендированной упаковки и с укороченной гарантией (1 год вместо стандартных 2–3 лет для Retail). По данным тестов редакции FormulaTV, OEM-модули Samsung демонстрируют идентичные розничным результаты в синтетических тестах памяти. Практическое отличие — только в условиях гарантийного обслуживания и отсутствии фирменной коробки.

Инженерный компромисс

Объём против частоты — что правильнее выбрать для ноутбука

Samsung M425R4GA3BB0-CQK фиксирует чёткую позицию: 32 ГБ на базовой частоте 4800 МГц без оверклокинга. Альтернатива — два модуля по 16 ГБ DDR5-5600 в двухканале. По наблюдениям специалистов редакции FormulaTV, для видеомонтажа и работы с виртуальными машинами объём 32 ГБ в одноканале стабильно выигрывает у 32 ГБ (2×16) в двухканале DDR5-4800, когда речь идёт о больших проектах — задача попросту упирается в объём, а не в скорость шины. Для игр и задач с быстрым доступом к малым массивам данных двухканал ощутимее.

Взгляд с другой стороны

Контраргумент. OEM-статус и однолетняя гарантия при цене, сопоставимой с Retail-аналогами, ставят под сомнение целесообразность выбора именно этого модуля.

Когда валиден. Если ноутбук эксплуатируется интенсивно в бизнес-среде и замена памяти — плановая операция, а не единовременная покупка на годы, разница в гарантийном сроке реально важна.

Ответ. Samsung M425R4GA3BB0-CQK рационален, когда нужен модуль от производителя первого эшелона с подтверждённой совместимостью по JEDEC, а розничная упаковка не имеет значения. Если гарантия 2–3 года критична — смотрите на Kingston или Crucial в Retail.

Ошибки и их цена

1) Купить DDR5 SODIMM для ноутбука с DDR4-слотом — модуль физически не вставится (разные ключи), но попытка установки может повредить разъём. Цена ошибки: возврат товара плюс риск механического ущерба. Решение: проверить тип памяти через CPU-Z или документацию ноутбука до покупки.

2) Установить 32 ГБ в ноутбук с максимальным поддерживаемым объёмом 16 ГБ на слот — система либо не запустится, либо увидит только 16 ГБ. Решение: проверить лимиты через сайт производителя ноутбука по точной модели.

3) Смешать DDR5 и DDR4 в двух слотах одного ноутбука — стандарты несовместимы физически и электрически. Оба модуля должны быть одного поколения.

Совет от редакции FormulaTV: «После установки модуля откройте диспетчер задач Windows (вкладка "Производительность" → "Память") и убедитесь, что система видит 32 ГБ и указывает правильную скорость — 4800 МГц. Если показывает меньше скорость — проверьте, не включён ли вручную профиль ниже в BIOS».

Часто задаваемые вопросы

Samsung M425R4GA3BB0-CQK совместим с ноутбуками на Intel Core 12-го поколения (Alder Lake-P/H), если в них установлен DDR5-слот — это нужно уточнить по модели конкретного ноутбука, поскольку ряд 12-го поколения выходил и с DDR4. Проверьте тип памяти через CPU-Z или официальный сайт производителя ноутбука: если там указан DDR5 — модуль встанет и заработает на частоте 4800 МГц без дополнительных настроек.

В комплекте — сам модуль памяти и документация. Это OEM-поставка: розничной упаковки, антистатического пакета и каких-либо аксессуаров нет. Инструмент для установки (крестовая отвёртка) потребуется отдельно — он не входит в комплект ни одного модуля памяти.

Снимите нижнюю крышку ноутбука (обычно 4–8 крестовых винтов), найдите слот SODIMM — он выглядит как наклонный разъём с защёлками по бокам. Вставьте модуль Samsung M425R4GA3BB0-CQK под углом около 30° до упора, затем нажмите вниз до щелчка — защёлки зафиксируют его горизонтально. Перед работой обязательно отключите ноутбук от питания и снимите статическое электричество, прикоснувшись к металлическому корпусу. Модуль имеет ключ — физически вставить неправильно невозможно.

Да, Samsung M425R4GA3BB0-CQK можно установить вторым модулем рядом с существующим DDR5. Если оба модуля одинакового объёма и частоты — система активирует двухканальный режим и получит прирост пропускной способности. При разных объёмах (например, штатные 16 ГБ + этот 32 ГБ) двухканал работает частично: первые 32 ГБ в двухканале (16+16), оставшиеся 16 ГБ — в одноканале. Это штатный режим работы, не ошибка.

Тайминги DDR5 CL40 у Samsung M425R4GA3BB0-CQK — не признак медленной памяти. CAS Latency измеряется в тактах, а не в наносекундах: при частоте 4800 МГц один такт занимает около 0.42 нс, итоговая задержка CL40 ≈ 16.7 нс — практически идентично DDR4-3200 CL22 (≈13.75 нс). На фоне полуторакратного роста пропускной способности (38 400 против 25 600 МБ/с) абсолютная задержка незначительна для большинства задач.

OEM-версия Samsung M425R4GA3BB0-CQK — это тот же чип и та же печатная плата, что в Retail, но без розничной упаковки и с укороченной гарантией производителя (1 год). Технические характеристики идентичны: частота, тайминги, напряжение, On-die ECC — без изменений. Разница исключительно в условиях гарантийного обслуживания и комплектации поставки.

Samsung M425R4GA3BB0-CQK работает строго по JEDEC-профилю DDR5-4800 CL40. В ноутбуках возможности разгона памяти практически отсутствуют — большинство производителей ноутбуков закрывают доступ к настройкам частоты и таймингов в BIOS. Даже если BIOS позволяет изменить частоту, OEM-модули без XMP-профиля требуют ручной настройки, что не рекомендуется для мобильных систем с ограниченным охлаждением.

Характеристики Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CQK, DDR5 1х 32ГБ 4800 МГц, SODIMM, OEM

О товаре
Код товара:140962
Бренд:Samsung
Категория:Оперативная память
Наличие на складе:товар в наличии
Страна производства:Китай
Гарантия Samsung: 1 год
Код производителя:M425R4GA3BB0-CQK
Общие характеристики
Назначение оперативной памятидля ноутбуков
Количество модулей1 шт
Форм-факторSODIMM
Тип поставкиOEM
Память и быстродействие
Объем одного модуля32 Гб
Суммарный объем памяти всегокомплекта32 Гб
Количество контактов262
Показатель скоростиPC5-38400
Пропускная способность38400 Мб/с
Тактовая частота4800 МГц
Задержка40-40-40
Тип памятиDDR5
Тайминги
CAS Latency (CL)40
Row Precharge Delay (tRP40
RAS to CAS Delay (tRCD)40
Дополнительная информация
ОсобенностиOn-die ECC
Напряжение питания1.1 В
Комплектациямодуль памяти 1 шт, документация

Отзывы о товаре

Отзывов пока еще нет. Ваш отзыв может стать первым!

Написать отзыв



Недавно просмотренные товары