Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CWM, DDR5 1х 32ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM

Код товара: 140866
Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CWM, DDR5 1х 32ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM
Samsung
41 980 р.
Базовая цена
47 704 р.
в корзину купить в один клик
Товар под заказ.
Уточняйте сроки поставки у наших менеджеров.
Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CWM, DDR5 1х 32ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM
Код товара: 140866
41 980 р.

О товаре
Код товара:140866
Бренд:Samsung
Категория:Оперативная память
Наличие на складе:отсутствует
Страна производства:Южная Корея
Гарантия Samsung: 1 год
Код производителя:M425R4GA3BB0-CWM
Показать все характеристики
Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CWM, DDR5 1х 32ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM. Характеристики, фото, отзывы покупателей. Официальная гарантия Samsung. Доставка по Московской области — FormulaTV.

Samsung M425R4GA3BB0-CWM — модуль оперативной памяти DDR5 объёмом 32 ГБ в форм-факторе SODIMM с тактовой частотой 5600 МГц, предназначенный для ноутбуков и компактных систем, которым требуется максимальная производительность при ограниченном числе слотов.

  • Тип памяти: DDR5 SODIMM, 262 контакта
  • Объём / Частота: 32 ГБ / 5600 МГц (PC5-44800)
  • Задержки (CL-tRCD-tRP): 46-40-46
  • Для кого: апгрейд ноутбука на DDR5, профессиональные мобильные рабочие станции
Samsung M425R4GA3BB0-CWM DDR5 SODIMM 32 ГБ — модуль памяти, вид сверху, маркировка и микросхемы

Коротко — для кого этот модуль памяти

Samsung M425R4GA3BB0-CWM подойдёт тем, кто обновляет ноутбук с поддержкой DDR5 и хочет получить один полноёмкий модуль 32 ГБ вместо пары меньших планок — особенно если второй слот нужен под будущее расширение или уже занят. Производитель — Samsung, флагман в производстве чипов памяти, корейский завод. Поставка OEM: нет розничной упаковки, в комплекте только сам модуль.

Главные плюсы и ограничения Samsung M425R4GA3BB0-CWM

Модуль закрывает потребность в одном высокоёмком DDR5-модуле для ноутбука без необходимости занимать оба слота.

  • 32 ГБ в одном модуле — второй слот остаётся свободным для расширения
  • DDR5-5600 МГц: пропускная способность 44 800 МБ/с, вдвое быстрее DDR4 по полосе
  • Напряжение питания 1,1 В — ниже, чем у DDR4 (1,2 В), меньший нагрев в ноутбуке
  • Производство Samsung — оригинальные чипы первого уровня без посредников
  • OEM-поставка: без розничной упаковки, гарантия 1 год от Samsung (не 3–5 лет как у retail)
  • Один модуль = одноканальный режим, если второй слот пуст; для двухканала нужна пара
  • Совместимость только с ноутбуками на DDR5 — с DDR4-платформами несовместим физически

Технические параметры — что означают цифры на практике

DDR5-5600 и PC5-44800 в Samsung M425R4GA3BB0-CWM — что это даёт

Samsung M425R4GA3BB0-CWM работает на частоте 5600 МГц с пропускной способностью 44 800 МБ/с (стандарт PC5-44800). Это верхний диапазон массовых DDR5 JEDEC-профилей — без разгона, из коробки. По данным обзоров FormulaTV, переход с DDR4-3200 на DDR5-5600 даёт прирост в задачах, чувствительных к полосе памяти: рендеринг, работа с большими датасетами, компиляция — прирост 15–25% в зависимости от нагрузки.

Задержки модуля — CL46, tRCD40, tRP46. Абсолютные значения CL выше, чем у DDR4, но за счёт удвоенной частоты шины реальная задержка в наносекундах сопоставима или ниже. Для повседневных задач и профессионального ПО разница незаметна; в играх с частым обращением к памяти небольшой выигрыш есть.

SODIMM 262 контакта — совместимость с ноутбуками

Samsung M425R4GA3BB0-CWM выполнен в форм-факторе SODIMM с 262 контактами — стандартный разъём для DDR5 в ноутбуках. Модуль физически несовместим с DDR4-слотами (200 контактов) и настольными DIMM-платформами. Перед установкой необходимо убедиться, что материнская плата ноутбука поддерживает DDR5: это указывается в спецификациях устройства от производителя.

Совет от Редакции FormulaTV: «Если ноутбук выпущен до 2022 года — почти наверняка DDR4. DDR5 появился в массовых ноутбуках с платформами Intel Alder Lake (12-е поколение Core) и AMD Ryzen 6000. Прежде чем заказывать модуль, проверьте модель ноутбука в официальных спецификациях производителя или загляните на сайт Crucial Memory Advisor».

Напряжение 1,1 В и тепловыделение в корпусе ноутбука

Samsung M425R4GA3BB0-CWM питается от 1,1 В — на 0,1 В ниже стандарта DDR4. По наблюдениям специалистов редакции FormulaTV, при длительных нагрузках (рендеринг, компиляция) модули DDR5 нагреваются заметно меньше аналогичных DDR4 при сопоставимой нагрузке. В тонких ноутбуках с ограниченным отводом тепла это имеет практическое значение для стабильности системы.

Одноканальный и двухканальный режим — когда одного модуля достаточно

Когда Samsung M425R4GA3BB0-CWM работает в одноканале и когда это проблема

Samsung M425R4GA3BB0-CWM в единственном экземпляре работает в одноканальном режиме — пропускная способность теоретически вдвое ниже, чем при двухканале. На практике для офисных задач, браузера, видеоконференций разницы нет. Заметное снижение производительности возникает в играх (особенно с интегрированной графикой AMD/Intel) и при массовой обработке данных — там двухканал даёт 10–30% прироста кадровой частоты и скорости обработки.

Если ноутбук имеет только один слот — вопрос не стоит. Если два слота: установка одного модуля 32 ГБ разумна, когда второй слот планируется заполнить позже или нужен максимальный объём при ограниченном бюджете сейчас.

Совет от Редакции FormulaTV: «Для ноутбуков с интегрированной графикой (Intel Iris Xe, AMD Radeon Graphics) двухканал критичен: GPU использует системную память, и одноканал режет производительность графики на 20–40%. Если ноутбук используется для лёгких игр или графики — рассмотрите комплект из двух модулей по 16 ГБ DDR5-5600 вместо одного 32 ГБ».

Что значит OEM-поставка для покупателя

OEM-версия Samsung M425R4GA3BB0-CWM — отличия от retail

Samsung M425R4GA3BB0-CWM поставляется в OEM-исполнении: модуль идентичен по чипам и характеристикам retail-версии, но без фирменной упаковки и без расширенной гарантии. По информации производителя, гарантийный срок на OEM-модули Samsung составляет 1 год. Retail-модули Samsung (серия M471 в розничной упаковке) идут с 3-летней гарантией и стоят дороже.

OEM-вариант исторически поставляется в составе ноутбуков и рабочих станций с завода — это тот же чип, что внутри фирменных устройств. Для апгрейда разница в том, что при неисправности в течение 1 года вопрос решается через продавца, а не через авторизованный сервис бренда напрямую.

Samsung M425R4GA3BB0-CWM DDR5 SODIMM — этикетка с серийным номером, штрих-коды, маркировка спецификаций

С чем сравнить в России

На российском рынке DDR5 SODIMM 32 ГБ 5600 МГц представлены несколько вендоров. Samsung M425R4GA3BB0-CWM — OEM-модуль с оригинальными чипами Samsung; конкуренты предлагают retail-упаковку с разными чипами и условиями гарантии.

Сравнение Samsung M425R4GA3BB0-CWM с конкурентами — DDR5 SODIMM 32 ГБ
Модель Тип / Форм-фактор Объём Частота Тайминги CL Напряжение Гарантия Кому подойдёт
Samsung M425R4GA3BB0-CWM DDR5 SODIMM 32 ГБ 5600 МГц CL46 1,1 В 1 год (OEM) Апгрейд ноутбука, оригинальные чипы Samsung
Kingston KVR56S46BD8-32 DDR5 SODIMM 32 ГБ 5600 МГц CL46 1,1 В Пожизненная Максимальная гарантия, retail-упаковка
Crucial CT32G56C46S5 DDR5 SODIMM 32 ГБ 5600 МГц CL46 1,1 В Ограниченная пожизненная Проверенная совместимость с ноутбуками Intel/AMD
Patriot PSD532G56002S DDR5 SODIMM 32 ГБ 5600 МГц CL46 1,1 В Ограниченная Бюджетная альтернатива с retail-упаковкой

Как мы к этому пришли — эволюция мобильной DDR5

DDR4 SODIMM массово появился в ноутбуках около 2015 года и долгое время оставался стандартом. Переход на DDR5 начался с ноутбуков Intel Alder Lake в 2022 году — первые модули работали на 4800 МГц. Стандарт JEDEC последовательно поднимал базовую частоту: 4800 → 5200 → 5600 МГц. Samsung M425R4GA3BB0-CWM относится к третьей волне массовых DDR5-модулей: 5600 МГц — текущий «потолок» JEDEC без XMP/EXPO, что гарантирует максимальную совместимость без необходимости активировать разгон в BIOS.

По данным тестов редакции FormulaTV, модули 5600 МГц в большинстве ноутбуков 2023–2024 годов запускаются на заявленной частоте без дополнительных настроек — производители закладывают поддержку этого профиля на уровне прошивки.

Инженерный компромисс — задержки DDR5 vs DDR4

Главное, что смущает опытных пользователей при взгляде на CL46 у Samsung M425R4GA3BB0-CWM: привычный DDR4-3200 шёл с CL22. Выглядит хуже — но это иллюзия сравнения абсолютных чисел. Реальная задержка в наносекундах считается как (CL / Частота × 2) × 1000. DDR4-3200 CL22: ≈13,75 нс. DDR5-5600 CL46: ≈16,4 нс. Разрыв есть, но он компенсируется удвоенной полосой пропускания — в большинстве нагрузок выигрывает DDR5.

Исключение: приложения с очень частым случайным доступом к небольшим объёмам данных (некоторые алгоритмы баз данных, старые игры, оптимизированные под низкую задержку). Там DDR5-5600 может не дать ощутимого прироста над DDR4-3600 с CL16.

Взгляд с другой стороны

Контраргумент. Зачем платить за OEM-модуль с 1-летней гарантией, если Kingston или Crucial дают пожизненную при сопоставимой цене?

Когда валиден. Если важна длинная гарантия и вы не планируете менять ноутбук в ближайшие 3–5 лет — retail от Kingston или Crucial рациональнее. Пожизненная гарантия — это реальная страховка, особенно для дорогого ноутбука.

Ответ. Samsung M425R4GA3BB0-CWM оправдан, если нужен модуль с оригинальными чипами Samsung (часть пользователей принципиально предпочитает бренд чипа, а не упаковки), либо если цена OEM заметно ниже retail-аналогов. Для корпоративных закупок с быстрой ротацией техники годовая гарантия нередко достаточна.

Ошибки и их цена

1) Установить DDR5 SODIMM в ноутбук с DDR4-слотом — физически невозможно (разные ключи и количество контактов), но попытка может погнуть контакты слота и дорого обойтись в ремонте.

2) Купить один модуль 32 ГБ для ноутбука с интегрированной графикой вместо пары 2×16 ГБ — потеря 20–40% графической производительности из-за одноканального режима. Цена ошибки: разница в производительности, которую не исправить без покупки второго модуля.

3) Не проверить максимально поддерживаемую частоту памяти ноутбука — некоторые платформы ограничены 5200 МГц. Модуль 5600 МГц заработает, но опустится до 5200 МГц. Технически не критично, но переплата за частоту бессмысленна.

Частые вопросы о Samsung M425R4GA3BB0-CWM

Нет, Samsung M425R4GA3BB0-CWM — DDR5 SODIMM с 262 контактами, физически несовместим с DDR4-слотами (200 контактов). Установить его в DDR4-ноутбук невозможно. Чтобы убедиться в совместимости, найдите модель вашего ноутбука в официальных характеристиках производителя или воспользуйтесь инструментом подбора памяти Crucial Advisor — они покажут, DDR4 или DDR5 поддерживает конкретная модель.

Один модуль Samsung M425R4GA3BB0-CWM работает в одноканальном режиме. Для двухканала нужны два идентичных модуля — второй такой же или совместимый по частоте и объёму. Если в ноутбуке только один слот памяти, режим фиксирован одноканальным независимо от модуля. Для ноутбуков с интегрированной графикой двухканал заметно ускоряет графику — рассмотрите комплект 2×16 ГБ DDR5-5600 как альтернативу.

Samsung M425R4GA3BB0-CWM в OEM-исполнении — это тот же модуль с теми же чипами, что Samsung ставит в ноутбуки с завода, но без розничной упаковки. В комплекте только сам модуль памяти. Гарантия по данным производителя — 1 год от Samsung. Retail-версии тех же чипов от Samsung идут с более длинной гарантией и дороже. Если гарантийный срок принципиален — уточняйте условия у продавца.

Да, если ноутбук имеет сервисную крышку с доступом к слотам памяти. Порядок действий: выключить ноутбук, снять нижнюю крышку (обычно несколько винтов Phillips), найти слот SODIMM, вставить модуль под углом ~30°, нажать до щелчка — модуль ляжет горизонтально. Перед разборкой убедитесь, что ноутбук не опломбирован и его вскрытие не лишает гарантии производителя — у ряда тонких моделей память распаяна и не заменяется.

В большинстве случаев — нет. Samsung M425R4GA3BB0-CWM работает по стандартному JEDEC-профилю DDR5-5600, который ноутбуки на Intel Alder Lake/Raptor Lake и AMD Ryzen 6000/7000 распознают автоматически. Если система запустилась на 4800 МГц вместо 5600 МГц — зайдите в BIOS и убедитесь, что выбран правильный профиль памяти (в некоторых прошивках нужно вручную выбрать 5600 МГц в разделе Memory Settings).

CL46 у Samsung M425R4GA3BB0-CWM выглядит хуже привычного DDR4 CL22, но реальная задержка в наносекундах у DDR5-5600 CL46 составляет около 16 нс против 14 нс у DDR4-3200 CL22. Разрыв минимален, а пропускная способность DDR5 (44 800 МБ/с против ~25 600 МБ/с у DDR4-3200) значительно выше. В большинстве практических задач — рендеринг, работа с тяжёлыми файлами, многозадачность — DDR5-5600 быстрее. Задержки критичны лишь в узких специализированных нагрузках.

Характеристики Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CWM, DDR5 1х 32ГБ 5600 МГц, SODIMM, OEM

О товаре
Код товара:140866
Бренд:Samsung
Категория:Оперативная память
Наличие на складе:отсутствует
Страна производства:Южная Корея
Гарантия Samsung: 1 год
Код производителя:M425R4GA3BB0-CWM
Общие характеристики
Количество модулей1 шт
Назначение оперативной памятидля ноутбуков
Форм-факторSODIMM
Тип поставкиOEM
Память и быстродействие
Задержка46-46-46
Тактовая частота5600 МГц
Пропускная способность44800 Мб/с
Показатель скоростиPC5-44800
Количество контактов262
Суммарный объем памяти всегокомплекта32 Гб
Объем одного модуля32 Гб
Тип памятиDDR5
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)40
Row Precharge Delay (tRP46
CAS Latency (CL)46
Дополнительная информация
Комплектациямодуль памяти 1 шт
Напряжение питания1.1 В

Отзывы о товаре

Отзывов пока еще нет. Ваш отзыв может стать первым!

Написать отзыв



Недавно просмотренные товары